MOSFETのゲート抵抗の決め方を解説【簡単にゲート抵抗値を決定】

※当サイトでは、アフィリエイト広告を利用しています。

MOSFETでゲート抵抗の決め方のイメージ図
  • MOSFETのゲート抵抗の決め方を知りたい
  • MOSFETのゲートに抵抗がある理由は何ですか?
  • ゲート-ソース間にある抵抗の必要性も知りたいです

このような疑問にお答えします。

目次

この記事を書いている私は、電子回路設計歴が約10年になります。

電子回路でMOSFETを使う機会は結構あるので、経験に基づいて解説します。

本記事を読み終えると、MOSFETのゲート抵抗の決め方について理解できるようになりますよ。

3分で読めますので、ぜひ最後までご覧ください。

MOSFETのゲート抵抗の決め方

MOSFETのゲート抵抗の決め方は2つあります。

  • 電気的特性から決める
  • ダイナミック入出力特性から決める

1つずつ解説します。

電気的特性から決める

MOSFETのデータシートに記載されている電気的特性から、ゲート抵抗を決めることができます。

具体的に、東芝のMOSFET 2SK2232のデータシートを見てみましょう。

電気的特性(Ta=25℃)
MOSFETの電気的特性

東芝 NチャネルMOSFET 2SK2232 の電気的特性(データシートより抜粋)

注目すべきは、上記の赤枠のところで、特に『ゲート入力電荷量Qg』が重要です。

なぜなら、

ゲート入力電荷量Qg = ゲート-ソース間電荷量Qgs + ゲート-ドレイン間電荷量Qgd

だからです。

ここを見ながら3つの手順で決めます。

  1. 立ち上がり時間を決める
  2. MOSFETに流す電流を決める
  3. ゲート抵抗を決める

実際に、この手順でゲート抵抗を決めてみます。

立ち上がり時間を決める

まずは立ち上がり時間を決めます。

MOSFETの立ち上がり時間

立ち上がり時間」の言い方を変えると、ゲート入力電荷量Qgに「電荷が充電されるまでの時間」です。

ここでは、データシートの電気的特性に記載されているターンオン時間ton[ns]を引用して

30ns 』

とします。

MOSFETに流す電流を決める

MOSFETに流す電流を IG [A] とすると、

IG = ゲート入力電荷量Qg / ターンオン時間ton

で求めることができます。

データシートの電気的特性にある

Qg = 38nC
ton = 30ns

を使うと

IG = Qg / ton = 38nC / 30ns = 1.27A

となります。

ゲート抵抗を決める

電流が決まれば、ゲート抵抗RGを決めることができます。

データシートの電気的特性にある測定条件には、VGS=10V となっているので、

オームの法則より

RG = VGS / IG = 10V / 1.27A = 7.9 Ω

となります。

これでゲート抵抗を決めることができました。

電気的特性から決める際の注意点

注意すべきは、データシートの電気的特性にある測定条件は、

『VGS=10Vのとき、Qg = 38nC 』となっていることです。

これは見方を変えると、

VGS = 10V のとき、Qg = 38nC である
→ VGS=10Vではないとき、Qg = 38nC ではない

ということです。

つまり、

VGS=10Vではないとき、Qgの値は何?

という疑問が生じます。

多くのMOSFET回路は、データシートの『VGS=10V』という条件では使いません

たまたま同じ条件で使用する場合もありますが、ピッタリ10Vで使用する場合は稀だと思います。

Qgの値がわからないと、MOSFETに流す電流を IG [A] もわからないので、

ゲート抵抗RGを求めることができません。

そのようなときは、次に解説する「ダイナミック入出力特性」から、Qgの値を決めます。

ダイナミック入出力特性からゲート抵抗を決める

以下のグラフは、MOSFETのダイナミック入出力特性です。

MOSFETのダイナミック特性

東芝 NチャネルMOSFET 2SK2232 の電気的特性(データシートより抜粋)

このグラフから、ゲート入力電荷量Qgの値を決めることができます。

例えば、

電源電圧 VDD = 24V
ゲート-ソース間電圧 VGS = 9V

のとき、

ゲート入力電荷量 Qg = 30nC

となります。

ダイナミック特性のMOSFET回路

Qg がわかれば、あとは電気的特性のときと同じで、

IG = Qg / ton = 30nC / 30ns = 1A

となり、

ゲート抵抗RGは、

RG = VGS / IG = 9V / 1A =

と求めることができます。

MOSFETのゲート抵抗が必要な理由

MOSFETのゲート抵抗が必要な理由は、ドレイン-ソース間電圧の不要な振動を減らすためです。

MOSFETの振動発生

この振動は、立ち上がり時間が速いほど発生します。

ゲート抵抗を入れると、ゲート入力電荷量Qgに充電する時間がかかるので、立ち上がり時間が遅くなります。

その結果、振動を減らすことができます。

MOSFETのゲート抵抗による振動抑制

なので、ゲート抵抗はドレイン-ソース間電圧の不要な振動を減らす役割があります

ちなみに、不要な振動が発生すると、放射ノイズを発生するというデメリットがありますので、

振動は減らした方が良いです。

  • ちょっと余談

ゲート抵抗を入れる
→ ゲート入力電荷量Qgに充電する時間がかかる
→ 立ち上がり時間が遅くなる

の意味が分からない人は、単純に抵抗とコンデンサの回路で考えれば分かりやすいです。

MOSFETのゲート抵抗による立ち上がり波形

抵抗なしの回路よりも、抵抗ありの回路は立ち上がり時間が遅いのが分かりますね。

これは抵抗がある分、電流が流れにくいので、

コンデンサを充電するのに時間がかかるためです。

MOSFETのゲート-ソース間に抵抗が必要な理由

ゲート-ソース間に抵抗を入れる理由は、MOSFETが誤って動作しないようにするためです。

具体的に、以下の回路で考えてみます。

MOSFETのゲート-ソース間抵抗

このような回路で、MOSFETのドレイン端子に接続される電源(24V)が先にONした場合、

5VはOFFなので、MOSFETのゲート端子の電圧は、何Vなのか分からない状態になります。

つまり、

  • 1.0Vかもしれないし、
  • 3.5Vかもしれないし、
  • 4.2Vかもしれない

という状態になります。

こういう状態でゲートしきい値電圧を超えてしまうと、MOSFETは誤って動作してしまいます。

例えば、東芝のMOSFET 2SK2232 のゲートしきい値電圧は 2.0V です。

この電圧を超えてしまうと、誤って動作します。

なので、ゲート-ソース間に抵抗Rを入れることで、

ゲート端子の電圧を 0V(GND) に固定し、MOSFETが誤って動作しないようにしています。

まとめ

今回は、MOSFETのゲート抵抗の決め方について解説しました。

ゲート抵抗の決め方について少しは理解できたでしょうか?

本記事が少しでもお役に立てば幸いです。

※ 初心者でも挫折しないアナログ回路の通信講座(返金保証あり)

アナログ回路の通信講座です。

アナログ回路設計の第一歩を学習できます。

30日間の返金保証があるので、ノーリスクで始められます。

まずはカリキュラムを確認してみましょう。

» アナログ回路設計への第一歩(Udemy) カリキュラムはこちら

人気記事:【無料の特典と返金保証あり】電子回路のオンライン入門セミナー5選!

【教材】トランジスタ増幅回路の設計講座

トランジスタ増幅回路の設計ノウハウを公開しました。

【目次】
・第1章
トランジスタ増幅回路の基礎知識
・第2章
固定バイアス回路の設計
・第3章
自己バイアス回路の設計
・第4章
電流帰還バイアス回路の設計

講座内容の詳細は下記からどうぞ。

» 無料公開の講座内容はこちら(特典あり)

よかったらシェアしてね!
  • URLをコピーしました!
  • URLをコピーしました!
目次